|
|||||
|
|
| （英）分子束外延生长InAsSb材料的组分控制 | |
| 作者姓名： | 孙庆灵 王禄 姚官生 曹先存 王文奇 孙令 王文新 贾海强 陈弘 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所 |
| 摘 要： | 采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比As原子, Sb原子更易并入晶格中.利用该特性可较好实现InAsSb材料的组分控制. |
| 关 键 词： | 分子束外延 铟砷锑 组分控制 |
| 收稿时间： | 2015-10-09 |
| 修稿时间： | 2016-01-05 |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》下载免费的PDF全文 | |