| 长波碲镉汞变面积二极管器件 |
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| 引用本文： | 李雄军,韩福忠,李东升,李立华,胡彦博,孔金丞,赵俊,朱颖峰,庄继胜,姬荣斌.长波碲镉汞变面积二极管器件[J].红外与毫米波学报,2016,35(4):412-417. |
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| 作者姓名： | 李雄军 韩福忠 李东升 李立华 胡彦博 孔金丞 赵俊 朱颖峰 庄继胜 姬荣斌 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所,昆明物理研究所 |
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| 摘 要： | 采用不同钝化工艺制备了一系列具有不同P/A比的变面积光电二极管器件.在77~147 K温度范围对器件R_0A和1 000/T关系进行了分析,结果表明在该温度区间器件暗电流主要以扩散电流占主导.对器件的R_0A分布进行了研究,77 K下HgCdTe薄膜内的体缺陷及非均匀性对器件性能产生了重要的影响;127 K下由于体扩散电流增加,缺陷对器件的作用显著弱化.77 K和127 K下器件R_0A随P/A比增大而减小,表明表面效应对器件具有重要的影响.基于Vishnu Gopal模型对器件1/R_0A值和P/A关系进行了拟合分析,证实了器件存在较大的表面漏电现象,且通过表面钝化工艺的改进,有效减小了表面效应对器件性能的影响.
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| 关 键 词： | 长波碲镉汞 变面积二极管 表面钝化 R0A P/A |
| 收稿时间： | 2015/12/10 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2016/1/22 0:00:00 |
Variable-area diodes with LW HgCdTe |
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| LI Xiong-Jun,HAN Fu-Zhong,LI Dong-Sheng,LI Li-Hu,HU Yan-Bo,KONG Jin-Cheng,ZHAO Jun,ZHU Ying-Feng,ZHUANG Ji-Sheng and JI Rong-Bin.Variable-area diodes with LW HgCdTe[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2016,35(4):412-417. |
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| Authors: | LI Xiong-Jun HAN Fu-Zhong LI Dong-Sheng LI Li-Hu HU Yan-Bo KONG Jin-Cheng ZHAO Jun ZHU Ying-Feng ZHUANG Ji-Sheng and JI Rong-Bin |
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| Affiliation: | Kunming Institute of Physics,Kunming Institute of Physics,Kunming Institute of Physics,Kunming Institute of Physics,Kunming Institute of Physics,Kunming Institute of Physics,Kunming Institute of Physics,Kunming Institute of Physics,Kunming Institute of Physics and Kunming Institute of Physics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LW HgCdTe variable-area diode surface passivation R0A P/A |
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