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YⅪ一RuXⅥ离子3d^10 4l(l=s,p,d,f)组态能级的逐插计算方法研究
引用本文:牟致栋,魏琦瑛,叶世旺. YⅪ一RuXⅥ离子3d^10 4l(l=s,p,d,f)组态能级的逐插计算方法研究[J]. 中国矿业大学学报, 2004, 33(3): 352-355
作者姓名:牟致栋  魏琦瑛  叶世旺
作者单位:中国矿业大学理学院,江苏徐州221008
摘    要:在准相对论HXR方法计算的基础上,分析了等电子序列离子能级结构的特点,提出了一种高剥离态离子能级新的逐插计算方法.计算了YXImRuxⅥ离子3d^10 4l(l=s,p,d,f)组态能级,其结果与已有实验结果相当符合.而TcXV离子的所有能级值纯属预测计算结果.

关 键 词:能级  TcXV离子  等电子序列离子  逐插计算
文章编号:1000-1964(2004)03-0352-04
修稿时间:2003-05-23

A Successive-Difference Method for Energy Levels of Configurations3d104l(l=s,p,d,f) from Y
MU Zhi-dong,WEI Qi-ying,YE Shi-wang. A Successive-Difference Method for Energy Levels of Configurations3d104l(l=s,p,d,f) from Y[J]. Journal of China University of Mining & Technology, 2004, 33(3): 352-355
Authors:MU Zhi-dong  WEI Qi-ying  YE Shi-wang
Abstract:
Keywords:isoelectronic sequence  atomic energy levels  successive difference method
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