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| 沟道迁移率全球最高的碳化硅半导体在日本问世 | |
| 摘 要： | 日本原子能研究所与独立行政法人产业技术综合研究所(以下简称产综研)，日前成功地联合开发出了采用碳化硅半导体底板的晶体管。作为晶体管性能指标的沟道迁移率(电子活动的难易度)，突破了实用化所要求的标准 |
| 关 键 词： | 沟道迁移率 晶体管 碳化硅半导体 性能指标 |
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