| 面向VLSI的门级单粒子效应评估技术 |
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| 引用本文： | 陈 鑫,陆禹帆,张 颖,施聿哲,刘小雨.面向VLSI的门级单粒子效应评估技术[J].测控技术,2020,39(1):12-15. |
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| 作者姓名： | 陈 鑫 陆禹帆 张 颖 施聿哲 刘小雨 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学 电子信息工程学院,南京航空航天大学 电子信息工程学院,南京航空航天大学 电子信息工程学院,南京航空航天大学 电子信息工程学院,南京航空航天大学 电子信息工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（61106029, 61701228）；航空科学基金项目（20152052025, 20180852005） |
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| 摘 要： | 由于空间辐射环境充满了各类射线和高能粒子,非常容易诱发集成电路发生单粒子效应,因此有必要开发对应的评估技术,分析单粒子效应对超大规模集成电路(VLSI)的影响。以ISCAS89测试基准电路为主要研究对象,提出了一种适用于VLSI的单粒子效应评估技术,可以通过脚本自动生成仿真和测试文件,实现任意节点的故障注入,并可以在任何一种支持硬件描述语言的EDA仿真工具上进行评估。分别对使用三模冗余技术、自刷新寄存器技术加固后的电路和原始电路进行了对比评估。评估结果符合逻辑,验证了门级单粒子效应评估测试技术的有效性。通过提出的评估技术,可以快速评估电路的抗辐射能力,提高查找设计缺陷、对电路进行针对性加固的效率,对于提高集成电路的安全性和稳定性有着重要的应用价值。
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| 关 键 词： | 单粒子效应 超大规模集成电路(VLSI) 硬件描述语言 门级 三模冗余 |
Gate Level Single-Event Effect Evaluation Technique for VLSI |
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