| 掺杂GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格的光致发光特性分析 |
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| 引用本文： | 李华,程兴奎,周均铭,黄绮. 掺杂GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格的光致发光特性分析[J]. 真空电子技术, 2005, 0(3): 17-19 |
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| 作者姓名： | 李华 程兴奎 周均铭 黄绮 |
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| 作者单位： | 1. 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100
2. 中国科学院,物理所,北京,100080 |
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| 摘 要： | 在室温下,通过光致发光实验研究了用MBE生长的GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格材料的光致发光特性,对测得的发光峰进行了指认.理论计算和实验结果符合很好.
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| 关 键 词： | 超晶格 光致发光 |
| 文章编号： | 1002-8935(2005)03-0017-03 |
| 修稿时间： | 2004-12-04 |
Photoluminescence of Doped GaAs/Al0.3Ga0.7As Superlattice |
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| LI Hua,CHENG Xing-kui,ZHOU Jun-Ming,HUANG Qi. Photoluminescence of Doped GaAs/Al0.3Ga0.7As Superlattice[J]. Vacuum Electronics, 2005, 0(3): 17-19 |
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| Authors: | LI Hua CHENG Xing-kui ZHOU Jun-Ming HUANG Qi |
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| Abstract: | Photoluminescence for GaAs/Al0.3Ga0.7As superlattice materials grown by MBE atT= 300 K was measured.Several pesks on the Photoluminescence spectrum were observed.The experimental results are in a- greement with the calculated positions of photoluminescence peaks. |
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| Keywords: | GaAs/AlGaAs |
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