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| Cd_(0.21)Hg_(0.79)Te中的产生～复合噪声 | |
| 作者姓名： | M.G.Andrukhlv V.I.Ivanov-Omskll V.K.Ogordnlkov 汤锦亚 |
| 摘 要： | 我们对Cd_(0.21)Hg_(0.79)Te晶体中的g—r噪声进行了研究,对补偿过的和未经补偿的n型样品和P型样品进行了测量。研究结果表明,窄禁带Cd_(0.21)Hg_(0.79)Te半导体中的噪声源与CMT材料的导电类型、补偿程度以及温度有关。在n型未补偿样品的本征区域以及非本征区域内,g—r噪声是由带间的跃迁决定的。在n型补偿样品的非本征区域和P型样品内,g—r噪声是由杂质能级与能带间的跃迁引起的。 |
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