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| 热氮化SiO_2膜性能的试验研究 | |
| 引用本文： | 商陆民,张家慰,简耀光.热氮化SiO_2膜性能的试验研究[J].半导体技术,1987(4). |
| 作者姓名： | 商陆民 张家慰 简耀光 |
| 作者单位： | 南京工学院电子工程系 (商陆民，张家慰)，南京工学院电子工程系(简耀光) |
| 摘 要： | 本文报导对热氮化SiO_2膜的研究结果.热氮化SiO_2膜的腐蚀特性、抗氧化特性的研究表明膜的化学结构与SiO_2不同.采用AES表面分析技术观察了膜中化学成份,从而证实了膜中的氮含量取决于氮化前的SiO_2膜厚和氮化时的条件,热氮化SiO_2膜的电学特性、抗辐射性能明显优于SiO_2膜. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |