| Bi2Te3热电薄膜的电化学原子层外延制备 |
| |
| 引用本文： | 侯杰,杨君友,朱文,郜鲜辉. Bi2Te3热电薄膜的电化学原子层外延制备[J]. 功能材料, 2006, 37(7): 1054-1056 |
| |
| 作者姓名： | 侯杰 杨君友 朱文 郜鲜辉 |
| |
| 作者单位： | 华中科技大学,模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074;华中科技大学,模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074;华中科技大学,模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074;华中科技大学,模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家自然科学基金 , 华中科技大学校科研和教改项目 |
| |
| 摘 要： | 采用电化学原子层外延法(ECALE)在Au电极上成功地制备了Bi2Te3化合物热电薄膜.通过循环伏安扫描研究Te和Bi在Au衬底上的电化学特性,使用自动沉积系统交替欠电位沉积Te、Bi原子层200个循环获得沉积物.XRD、EDX和FESEM测试结果表明循环沉积200层后得到的沉积物Bi和Te的化学计量比为2:3,且是Bi2Te3薄膜化合物,而非单质Bi和Te的简单混合;薄膜均匀、致密、平整且可重复性好,以(015)为最优取向外延生长的.
|
| 关 键 词： | 电化学原子层外延 欠电位 Bi2Te3 热电材料 薄膜 |
| 文章编号： | 1001-9731(2006)07-1054-03 |
| 收稿时间： | 2005-09-12 |
| 修稿时间： | 2006-01-23 |
The Bi2Te3 thin film deposition on Au substrate using electrochemical atomic layer epitaxy |
| |
| HOU Jie,YANG Jun-you,ZHU Wen,GAO Xian-hui. The Bi2Te3 thin film deposition on Au substrate using electrochemical atomic layer epitaxy[J]. Journal of Functional Materials, 2006, 37(7): 1054-1056 |
| |
| Authors: | HOU Jie YANG Jun-you ZHU Wen GAO Xian-hui |
| |
| Affiliation: | State Key Laboratory of Die and Mould Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074 , China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ECALE UPD bismuth telluride thermoelectric material thin film |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
