| 磁化状态对自偏置微带环行器性能的影响 |
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| 引用本文： | 潘勇才,张万里,彭斌,孙延龙,张文旭. 磁化状态对自偏置微带环行器性能的影响[J]. 磁性材料及器件, 2013, 0(1): 24-27 |
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| 作者姓名： | 潘勇才 张万里 彭斌 孙延龙 张文旭 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都 610054 |
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| 基金项目： | 电子科技大学中央高校基本科研业务费资助项目(ZYGX2010J039);国防预研基金资助项目(9140A12020311DZ0202) |
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| 摘 要： | ![]()
基于钡铁氧体材料设计并制作了中心频率在22GHz的自偏置环行器,仿真结果表明,在22.6GHz附近,插入损耗小于0.2dB,隔离和回波损耗均大于30dB。测试结果表明,无外加磁场、铁氧体没有达到磁化饱和时,在22GHz处,器件插入损耗为2.9dB,隔离损耗接近50 dB。为了研究磁化状态对自偏置环行器性能的影响,在测试时施加弱磁场,插入损耗最小值为1.57 dB,出现在频率22.6 GHz处,对应的隔离度为11.4 dB;当施加强磁场时,插入损耗最小值为1.1 dB,对应的隔离度为11.6 dB;对比施加强弱磁场时的测试结果,可发现随外磁场增强,在22.6GHz处插入损耗降低,但是在22GHz处的隔离度变小。
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| 关 键 词： | 微带环行器 自偏置 磁化状态 性能 |
Effect of magnetization state on the performance of self-biased microstrip circulator |
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| PAN Yong-cai,ZHANG Wan-li,PENG Bin,SUN Yan-long,ZHANG Wen-xu. Effect of magnetization state on the performance of self-biased microstrip circulator[J]. Journal of Magnetic Materials and Devices, 2013, 0(1): 24-27 |
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| Authors: | PAN Yong-cai ZHANG Wan-li PENG Bin SUN Yan-long ZHANG Wen-xu |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | microstrip circulator self-biasing magnetization state performance |
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