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耐电晕试验用高速脉冲电源的分析与设计
引用本文:李真,贺慧勇,黄昱,周鹏毅.耐电晕试验用高速脉冲电源的分析与设计[J].智能计算机与应用,2017,7(3).
作者姓名:李真  贺慧勇  黄昱  周鹏毅
作者单位:长沙理工大学物理与电子科学学院,长沙,410114
摘    要:漆包线耐电晕试验用脉冲电源对电压变化率要求高,现有普通电源难以满足要求.提出一种漆包线耐电晕试验用高速脉冲电源设计.建模分析各元件参数和电路主要参数;选用耐高压的绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)以提高H桥输出电压;利用栅极电阻的阻值调节脉冲的上升/下降时间.仿真和实验表明,所设计的高速脉冲电源的电压变化率(dv/dt)为30 kV/us,即输出电压峰峰值3 kV的情况下,电压上升时间和下降时间为100 ns.

关 键 词:耐电晕  高速脉冲  30  kV/us  IGBT

Analysis and design of the high-speed pulse power supply for corona resistance test
LI Zhen,HE Huiyong,HUANG Yu,ZHOU Pengyi.Analysis and design of the high-speed pulse power supply for corona resistance test[J].INTELLIGENT COMPUTER AND APPLICATIONS,2017,7(3).
Authors:LI Zhen  HE Huiyong  HUANG Yu  ZHOU Pengyi
Abstract:
Keywords:
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