磁敏角度传感器特性分析 |
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引用本文: | 李旋.磁敏角度传感器特性分析[J].仪表技术,2015(3):52-54. |
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作者姓名: | 李旋 |
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作者单位: | 南京理工大学机械工程学院 |
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摘 要: | 设计了一种基于磁阻效应(AMR)和霍尔效应的角度传感器。论述了传感器的工作原理、电路组成及功能。传感器由磁阻芯片、霍尔芯片、放大以及滤波电路构成。通过旋转圆柱永磁体改变磁阻芯片、霍尔芯片周围磁场,引起传感器输出电压变化,进而测量旋转角度。在传感器结构设计中,对圆柱永磁体进行了磁场有限元分析,对角度传感器进行了试验标定与数据分析。测试结果表明:在0°~360°范围内,重复性误差为0.58%,迟滞误差为0.33%,综合误差为1.82%,达到了实际角度测量的要求。
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关 键 词: | 磁阻效应 霍尔效应 角度传感器 有限元 |
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