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| 1200V 40A碳化硅肖特基二极管设计北大核心CSCD | |
| 作者姓名： | 汪玲黄润华刘奥陈刚柏松 |
| 作者单位： | 1.宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所210016; |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA041401) |
| 摘 要： | 设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终端保护参数进行了优化。器件采用10μm厚度掺杂浓度为6E15cm-3的外延材料,终端保护采用浮空场限制环。正向电压1.75V时,导通电流达到40A。 |
| 关 键 词： | 4H型碳化硅 肖特基势垒二极管 终端保护 浮空场限环 |
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