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| 硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响 | |
| 作者姓名： | 徐彭寿 张发培 祝传刚 陆尔东 徐法强 潘海斌 张新夷 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室!合肥230029,中国科学技术大学国家同步辐射实验室!合肥230029,中国科学技术大学国家同步辐射实验室!合肥230029,中国科学技术大学国家同步辐射实验室!合肥230029,中国科学技术大学国家同步辐射实验室!合肥230029,中国科学技术大学国家同步 |
| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研项目;; |
| 摘 要： | 利用同步辐射和铁磁共振研究了使用 CH3CSNH2 硫钝化的 Ga As( 1 0 0 )表面铁超薄膜的电子结构和磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻止 As向铁薄膜层的扩散 ,减弱 As和 Fe的相互作用并增强了在 Ga As( 1 0 0 )表面生长的铁超薄膜的磁性 . |
| 关 键 词： | 硫钝化 半导体界面 电子结构 磁性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)04-0340-06 |
| 修稿时间： | 1998-12-11 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |