| 国产金属有机化合物TMGa,TMAl,TMIn和TMSb的MOVPE鉴定 |
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| 引用本文： | 陆大成,汪度.国产金属有机化合物TMGa,TMAl,TMIn和TMSb的MOVPE鉴定[J].高技术通讯,1994,4(8):5-9. |
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| 作者姓名： | 陆大成 汪度 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室 |
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| 摘 要： | 利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构。表征材料纯度的７７Ｋ载流予迁移率分别达到ＧａＡｓ：μ＿ｎ＝５６６００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，Ａｌ＿（０．２５）Ｇａ＿（０．７５）Ａｓ：μ＿ｎ＝５１６０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＩｎＰ：μ＿ｎ＝６５３００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＧａＳｂ：μ＿ｐ＝５０７６ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。由１０个周期的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶Ｘ射线回摆曲线上高达±２０级的卫星峰。ＧａＡｓ／Ａｌ＿（０．３５）Ｇａ＿（０．６５）Ａｓ量子阱最小阱宽为１０，在ｌｉＫ下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为３９０ｍｅＶ，其线宽为１２ｍｅＶ。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。
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| 关 键 词： | 金属有机物 气相外延 量子阱 晶格 |
Assessments of Home-made TMAl,TMGa,TMIn and TMSb by MOVPE |
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| Lu Dacheng, Wang Du Liu Xianglin, Wang Xiaohui, Dong Jianrong.Assessments of Home-made TMAl,TMGa,TMIn and TMSb by MOVPE[J].High Technology Letters,1994,4(8):5-9. |
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| Authors: | Lu Dacheng Wang Du Liu Xianglin Wang Xiaohui Dong Jianrong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOVPE Quantum well Superlattice GaAs AlGaAs InP GaSb |
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