| GaInNAs/GaAs量子阱激光器的发展与未来 |
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| 引用本文： | 林耀望,潘钟,李联合,张伟,王学宇.GaInNAs/GaAs量子阱激光器的发展与未来[J].大气与环境光学学报,2000(4). |
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| 作者姓名： | 林耀望 潘钟 李联合 张伟 王学宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心!北京110083(林耀望，潘钟，李联合，张伟)，中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心!北京11(王学宇) |
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| 摘 要： | ＧａＩｎＮＡｓ是一种直接带隙半导体材料，在长彼长（１．３０和 １．５５μｍ）光通信系统 中具有广阔的应用前景．通过调节 Ｉｎ和 Ｎ的组分，既可获得应变 ＧａＩｎＮＡｓ外延材料，也可制 备ＧａＩｎＮＡｓ与ＧａＡｓ匹配的异质结构，其波长覆盖范围为０．９－Ｎ２．０μｍ．ＧａＩｎＮＡｓ／ＧａＡｓ 量子阱激光器的特征温度为 ２００ Ｋ，远大于现行 ＧａＩｎＮＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的特征温度（Ｔ０＝５０ Ｋ）． ＧａＩｎＮＡｓ光电子器件的此优异特性，对于提高光纤通信系统的稳定性、可靠寿命具有特 别重要的意义．由于ＧａＩｎＮＡｓ和具有高反射率（高达９９％）ＡＩ（Ｇａ）Ａｓ／ＧａＡｓ的分布布拉格 反射镜（ＤＢＲ）可生长在同－ＧａＡｓ衬底上，因此它是长波长（１．３０和 １．５５ μｍ）垂直腔面 发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的理想材料．垂直腔面发射激光器是光纤通信、互联网和光信号处理的 关键器件． ＧａＡｓ基的超高速集成电路（ＩＣ）已有相当成熟的工艺．如果 ＧａＩｎＮＡｓ－ＶＣＳＥＬ 与 ＧａＡｓ－ＩＣ相结合，将使光电集成电路（ＯＥＩＣ）开拓出崭新的局面．本文还报道我们课题 组研制高质量 ＧａＮＡｓ／ＧａＡｓ超晶格和大应变 ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构取
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| 关 键 词： | GaInNAs GaAs 量子阱激光器 长波长 特征温度 |
Developments and Future of GaInNAs/GaAs Quantum Well Laser |
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| Lin yaowang Pan Zhong Li Lianhe Zhang Wei Wang Xueyu.Developments and Future of GaInNAs/GaAs Quantum Well Laser[J].Journal of Atmospheric and Environmental Optics,2000(4). |
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| Authors: | Lin yaowang Pan Zhong Li Lianhe Zhang Wei Wang Xueyu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaInNAs GaAs quantum well laser long wavelength characteristic temperature |
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