| Kinetic process of nitridation on the α-sapphire surface |
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| 作者姓名： | 汤星舟 李书平 康俊勇 陈佳琪 |
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| 作者单位： | Department of Physics, Xiamen University, Xiamen 361005, China;Key Laboratory of Semiconductor Materials and Application of Fujian Province, Xiamen 361005, China,Department of Physics, Xiamen University, Xiamen 361005, China;Key Laboratory of Semiconductor Materials and Application of Fujian Province, Xiamen 361005, China,Department of Physics, Xiamen University, Xiamen 361005, China;Key Laboratory of Semiconductor Materials and Application of Fujian Province, Xiamen 361005, China,Department of Physics, Xiamen University, Xiamen 361005, China |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划（863计划） |
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| 摘 要： | 我们结合分子动力学模拟和动态蒙特卡洛方法,建立了蓝宝石表面的氮化模拟模型,依此揭示了氮化和过度氮化的过程和原理。通过MBE生长和同位RHEED表征,我们亦观察和分析了不同条件下的α面蓝宝石的氮化情况。结合模拟和实验,我们了解了氮化机制,并且圈定了合适的氮化范围。
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| 关 键 词： | 氮化 分子束外延 动态蒙特卡洛法 分子动力学法 |
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