具有自对准沟道的微波低噪声场效应晶体管

提出一种从根本上提高微波 GaAs FET 器件性能的新工艺技术。它包括结构新奇的栅电极,既能减少栅电阻又可制作自对准沟道。讨论了这种结构在理论上和实验上的优点,以及在制作所述结构方面某些可能出现的困难。