| 双层异质结器件载流子复合位置的研究 |
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| 引用本文： | 黎威志,蒋亚东,钟志有,季兴桥,阳秀. 双层异质结器件载流子复合位置的研究[J]. 半导体光电, 2006, 27(4): 373-375 |
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| 作者姓名： | 黎威志 蒋亚东 钟志有 季兴桥 阳秀 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 载流子的复合是有机电致发光过程的一个重要环节，它直接影响着器件的效率，稳定性，寿命等性能。以双层器件ITO／N，N＇-Diphenyl-N，N＇-bis（1-naphthyl）-（1，1＇-biphenyl）-4，4＇-diamine（NPB）／tri-（8-hydroxy-quinoline）-aluminum（Alq3）／Mg：Ag为基础，以红光掺杂剂4-（dicyanomethylene）-2-t-butyl-6-（1，1，7，7-tetramethyljulolidyl-9-enyl）-4H-pyran（DCJTB）为探针，通过改变在Alq3层中掺杂层的厚度，研究了双层异质结器件中载流子的复合位置。结果表明，对于双层器件NPB／Alq3，载流子的复合及激子的辐射衰减位于界面处的Alq3层0～10nm范围内。
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| 关 键 词： | 复合位置 激子 掺杂剂 异质结器件 |
| 文章编号： | 1001-5868(2006)04-0373-03 |
| 收稿时间： | 2005-11-15 |
| 修稿时间： | 2005-11-15 |
Recombination Sites of Carriers in Double Layer Heterojunction Devices |
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| LI Wei-zhi,JIANG Ya-dong,ZHONG Zhi-you,JI Xing-qiao,YANG Xiu. Recombination Sites of Carriers in Double Layer Heterojunction Devices[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2006, 27(4): 373-375 |
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| Authors: | LI Wei-zhi JIANG Ya-dong ZHONG Zhi-you JI Xing-qiao YANG Xiu |
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| Affiliation: | School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | recombination site exciton dopant heterojunction device |
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