| 采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb |
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| 引用本文： | 尤明慧,祝煊宇,李雪,李士军,刘国军. 采用界面失配阵列技术在GaAs衬底上生长GaSb[J]. 红外与毫米波学报, 2021, 40(6): 725-731 |
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| 作者姓名： | 尤明慧 祝煊宇 李雪 李士军 刘国军 |
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| 作者单位： | 吉林农业大学信息技术学院,吉林长春130118;梧州学院广西机器视觉与智能控制重点实验室,广西梧州543002;吉林农业大学信息技术学院,吉林长春130118;梧州学院广西机器视觉与智能控制重点实验室,广西梧州543002;海南师范大学物理电子工程学院,海南海口571158 |
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| 基金项目： | 海南省重点研发计划项目（ZDYF2020020），吉林省国家外国专家局引才引智项目（L2020028，L2021008，L2021009，LY202115），国家自然科学基金（61774025），吉林省科技发展计划（20190201181JC），广西机器视觉与智能控制重点实验室培育建设（厅市会商）项目（GKAD20297148） |
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| 摘 要： | ![]()
采用界面失配阵列（Interfacial Misfit arrays， IMF）技术深入研究了在GaAs衬底上外延生长GaSb，研究了生长温度、Sb：Ga等效原子通量比、AlSb过渡层厚度和GaSb外延层厚度对材料结构质量的影响。其中，生长温度、AlSb过渡层厚度是影响GaSb材料结构质量的重要因素，通过高分辨率X射线衍射（HRXRD）研究，HRXRD测量材料的衍射峰半高全宽（FWHM）值对这两个参数的变化非常敏感，而Sb：Ga等效原子通量比（Effective atomic flux ratio），在富Sb条件下，材料结构质量受其变化影响有限，GaSb衍射峰FWHM值随其变化轻微，但是GaSb材料层结构质量随其厚度增加而提高。优化的条件为GaSb材料生长温度约为515 ℃， AlSb过渡层厚度为5 nm。制备10 nm厚的GaSb外延层，经HRXRD测试，其衍射峰FWHM值仅为约15 arcsec， 与商用GaSb衬底的衍射峰FWHM值相当。生长于其上的量子霍尔器件，在1.8 K及无电场偏压测量条件下，电子迁移率高达1.5×105 cm2/Vs，达到了GaSb衬底上器件性能水平。
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| 关 键 词： | 分子束外延 界面失配阵列 等效原子通量比 过渡层 |
| 收稿时间： | 2021-02-24 |
| 修稿时间： | 2021-12-14 |
Growth of GaSb on GaAs substrate by Interfacial Misfit arrays |
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| YOU Ming-Hui,ZHU Xuan-Yu,LI Xue,Li Shi-jun and LIU Guo-Jun. Growth of GaSb on GaAs substrate by Interfacial Misfit arrays[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2021, 40(6): 725-731 |
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| Authors: | YOU Ming-Hui ZHU Xuan-Yu LI Xue Li Shi-jun LIU Guo-Jun |
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| Abstract: | ![]()
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