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光注入X结GaAs全光开关的设计
引用本文:陈克坚,杨爱龄,唐奕,江晓清,王明华.光注入X结GaAs全光开关的设计[J].光电子.激光,2004,15(4):406-409.
作者姓名:陈克坚  杨爱龄  唐奕  江晓清  王明华
作者单位:浙江大学信息工程与电子工程系,浙江,杭州,310027;浙江大学信息工程与电子工程系,浙江,杭州,310027;浙江大学信息工程与电子工程系,浙江,杭州,310027;浙江大学信息工程与电子工程系,浙江,杭州,310027;浙江大学信息工程与电子工程系,浙江,杭州,310027
基金项目:国家自然科学基金资助项目(60177012),国家重点基础研究发展规划资助项目(G1999033104)
摘    要:设计了一种基于全内反射原理和光生载流子注入效应的X结全内反射(TIR)全光开关。通过对传统X结的改进提高了器件的性能。模拟结果表明.改进后的X结的消光比可以达到30dB左右。串音小于-30dB。同时分析了该全光开关所具有的速度优势,其开关速度可达10^0~10^2ns。

关 键 词:X结  光注入  全内反射(TIR)  全光开关
文章编号:1005-0086(2004)04-0406-04

The Design of Photo-injected X Junction GaAs All Optical Switch
CHEN Ke-jian,YANG Ai-ling,TANG Yi,JANG Xiao-qing.The Design of Photo-injected X Junction GaAs All Optical Switch[J].Journal of Optoelectronics·laser,2004,15(4):406-409.
Authors:CHEN Ke-jian  YANG Ai-ling  TANG Yi  JANG Xiao-qing
Affiliation:CHEN Ke-jian,YANG Ai-ling,TANG Yi,JANG Xiao-qing~
Abstract:
Keywords:X junction  photo-injection  total internal reflection(TIR)  all optical switch
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