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| High-k材料MOS器件的PISCES-II模拟 | |
| 引用本文： | 陈震,向采兰,余志平.High-k材料MOS器件的PISCES-II模拟[J].微电子学与计算机,2003(3). |
| 作者姓名： | 陈震 向采兰 余志平 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 北京100084 (陈震，向采兰)，清华大学微电子学研究所 北京100084(余志平) |
| 基金项目： | 国家重点基础研究973项目(GG200036502) |
| 摘 要： | High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。 |
| 关 键 词： | 器件模拟 MOS器件 隧道击穿 high-k |
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