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| 微功耗CMOS电压基准的设计 | |
| 引用本文： | 陈群超,何明华,戴惠明.微功耗CMOS电压基准的设计[J].福建电脑,2011,27(10):138-138,16. |
| 作者姓名： | 陈群超 何明华 戴惠明 |
| 作者单位： | 福州大学物理与信息工程学院,福建福州,350003 |
| 摘 要： | 本文采用0.18μm标准CMOS工艺,设计了微功耗CMOS电压基准电路。该基准电源电压可低至0.9V,功耗为0.8uA,输出基准电压为0.7V。在-20℃~100℃的温度范围内可获得29ppm/℃的温度系数,在1kHZ和100kHZ可分别获得-34dB和-17dB的电源抑制比。 |
| 关 键 词： | 微功耗 电压基准 低温度系数 |
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