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640×480像素矩阵OLED-on-silicon微显示芯片设计
引用本文:陆超,冉峰,徐美华.640×480像素矩阵OLED-on-silicon微显示芯片设计[J].电视技术,2004(12):44-48.
作者姓名:陆超  冉峰  徐美华
作者单位:上海大学,微电子研究与开发中心,上海,200072
摘    要:描述了一种内置SRAM的640×480像素矩阵OLED-on-silicon单色微显示电路的设计.像素电流12 nA~1.6μA可调.每个像素点面积不超过400 μm2,信号最大扫描频率30 MHz.采用chartered CMOS 0.35μm 18 V高压工艺仿真设计,成功实现了OLED技术和CMOS工艺的结合.

关 键 词:硅上有机发光二极管  微型显示  静态随机读写存储器  有机发光二极管
文章编号:1002-8692(2004)12-0044-05
修稿时间:2004年9月23日

Design of a 640×480 Pixel Matrix OLED-on-silicon Microdisplay Chip
LU Chao,RAN Feng,XU Mei-hua.Design of a 640×480 Pixel Matrix OLED-on-silicon Microdisplay Chip[J].Tv Engineering,2004(12):44-48.
Authors:LU Chao  RAN Feng  XU Mei-hua
Abstract:
Keywords:OLED-on-silicon  microdisplay  SRAM  constant current source  organic light-emitting diode
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