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| 复杂数字电路中的单粒子效应建模综述 | |
| 作者姓名： | 吴驰 毕津顺 滕瑞 解冰清 韩郑生 罗家俊 郭刚 刘杰 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室, 北京 100029,中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室, 北京 100029,中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室, 北京 100029,中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室, 北京 100029,中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室, 北京 100029,中国科学院微电子研究所, 北京 100029;中国科学院硅器件技术重点实验室, 北京 100029,中国原子能科学研究院 核物理研究所, 北京 102413,中国科学院近代物理研究所, 兰州 730000 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61176095) |
| 摘 要： | 单粒子效应产生的软错误是影响航天电子系统可靠性的主要因素之一。对其进行建模是研究单粒子效应机理和电路加固技术的有效方法。介绍了深亚微米及以下工艺中影响模型准确性的几种效应机制,包括脉冲展宽机制、电荷共享机制和重汇聚机制等。重点分析了单粒子瞬态、单粒子翻转的产生模型和单粒子瞬态的传播模型。阐述了基于重离子和脉冲激光的模型验证方法。最后,分析了单粒子效应随特征尺寸的变化趋势,并提出了未来单粒子效应建模技术的发展方向。 |
| 关 键 词： | 单粒子瞬态效应 单粒子翻转效应 软错误率 掩蔽效应 |
| 收稿时间： | 2014-12-26 |
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