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| 氮对纳米硅氮薄膜晶化的影响 | |
| 作者姓名： | 韩伟强 韩高荣 聂东林 丁子上 |
| 作者单位： | [1]浙江大学材料系 [2]清华大学物理系 |
| 摘 要： | 在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中,用高氢稀释硅烷和氮气为反应气氛制备纳米硅氮（ｎｃ－ＳｉＮｘ２Ｈ）薄膜,结果表明,当Ｎ２／ＳｉＨ４气体流量比（Ｘｎ）从Ｉ增加为４时,薄膜的晶态率从５８％降至１４％,晶粒尺寸从１０ｎｍ降至５ｎｍ,Ｎ／Ｓｉ含量比从０．０３增至０．１２,当Ｘｎ≥５,则生成非晶硅氮（ａ－ＳｉｕＮｘ２Ｈ）薄膜,当Ｘｎ从１增加为１０时,薄膜暗电导率从１０＾－５（Ωｃｍ）＾－１降至１０＾－ |
| 关 键 词： | 纳米 硅氮薄膜 晶态率 晶粒尺寸 |
| 收稿时间： | 1996-06-25 |
| 修稿时间： | 1996-06-25 |
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