| 功率MOSFET器件稳态热阻测试原理及影响因素 |
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| 引用本文： | 康锡娥.功率MOSFET器件稳态热阻测试原理及影响因素[J].电子与封装,2015(6). |
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| 作者姓名： | 康锡娥 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第47研究所,沈阳,110032 |
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| 摘 要： | 热阻值是评判功率MOSFET器件热性能优劣的重要参数,因此热阻测试至关重要。通过对红外线扫描、液晶示温法、标准电学法3种热阻测试方法比较其优缺点,总结出标准电学法测试比较适合MOSFET热阻测试。在此基础上依据热阻测试系统Phase11,阐述功率MOSFET热阻测试原理,并着重通过实例对标准电学法测试热阻的影响因素测试电流Im、校准系数K、参考结温Tj以及测试夹具进行了具体分析,总结出减少热阻测试误差的方法,为热阻的精确测试以及器件测试标准的制定提供依据。
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| 关 键 词： | 热阻测试原理 测试电流 校准系数 参考结温 测试夹具 |
The Principle and Influence Factors of the Thermal Resistance of Power MOSFET Device |
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| KANG Xi’e.The Principle and Influence Factors of the Thermal Resistance of Power MOSFET Device[J].Electronics & Packaging,2015(6). |
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| Authors: | KANG Xi’e |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thermal resistance testing principle testing current calibration coefficient reference junction temperature test fixture |
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