| 铜互连中SiCOF/a-C∶F双层低介电常数薄膜的制备和表征(英文) |
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| 引用本文： | 张卫,朱莲,孙清清,卢红亮,丁士进.铜互连中SiCOF/a-C∶F双层低介电常数薄膜的制备和表征(英文)[J].半导体学报,2006(3). |
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| 作者姓名： | 张卫 朱莲 孙清清 卢红亮 丁士进 |
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| 作者单位： | 复旦大学微电子学系 上海200433 |
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| 摘 要： | 用等离子体化学气相淀积系统制备了一种新颖的SiCOF/a-C∶F双层低介电常数介质薄膜,并用红外光谱表征了该薄膜的化学结构.通过测量介质的折射率发现该薄膜长时间暴露在空气中,其光频介电常数几乎不变.然而,随退火温度的增加,其光频介电常数则会减小.基于实验结果讨论了几种可能的机理.二次离子质谱分析表明在Al/a-C∶F/Si结构中F和C很容易扩散到Al中,但在Al/SiCOF/a-C∶F/Si结构中,则没有发现C的扩散,说明SiCOF充当了C扩散的阻挡层.分析还发现在SiCOF和a-C∶F之间没有明显的界面层.
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| 关 键 词： | 低介电常数介质 FTIR SI MS |
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