| CuO纳米线阻变存储器的组装及电阻开关特性 |
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| 引用本文： | 阳斌,唐海涛,杨钊,刘安,刘宏武. CuO纳米线阻变存储器的组装及电阻开关特性[J]. 固体电子学研究与进展, 2015, 0(2): 120-123 |
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| 作者姓名： | 阳斌 唐海涛 杨钊 刘安 刘宏武 |
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| 作者单位： | 暨南大学信息科学技术学院电子工程系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11204105) |
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| 摘 要： | 用热氧化法在空气中加热铜片制备了CuO纳米线(CuO NWs),通过FESEM对纳米线表面进行了观察,并用液体转移法组装成功了一种简单的阻变存储器件。通过I-V测试系统观察到了Cu/CuO NWs/Cu器件表现出了明显的双极型和单极型。最后通过对比高阻态(HRS)和低阻态(LRS)的表面形貌,解释了Cu/CuO NWs/Cu器件的阻变机制。
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| 关 键 词： | 氧化铜 阻变存储器 |
Assembly of CuO Nanowire RRAM and Its Resistive Switching Characteristics |
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| YANG Bin;TANG Haitao;YANG Zhao;LIU An;LIU Hongwu. Assembly of CuO Nanowire RRAM and Its Resistive Switching Characteristics[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2015, 0(2): 120-123 |
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| Authors: | YANG Bin TANG Haitao YANG Zhao LIU An LIU Hongwu |
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| Affiliation: | YANG Bin;TANG Haitao;YANG Zhao;LIU An;LIU Hongwu;Department of Electronic Engineering,College of Information Science and Technology,Jinan University; |
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| Abstract: | |
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