| 射频磁控溅射GaP薄膜的光学性能 |
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| 引用本文： | 郭大刚, 刘正堂, 宋健全, 耿东生. 射频磁控溅射GaP薄膜的光学性能[J]. 红外技术, 2002, 24(4): 49-52. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2002.04.013 |
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| 作者姓名： | 郭大刚 刘正堂 宋健全 耿东生 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072;西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072;西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072;西北工业大学,材料科学与工程学院,陕西,西安,710072 |
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| 基金项目： | 航空科学基金 (98G5 3 10 4),国防基础科研计划 (J15 0 0E0 0 2 )资助项目 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射方法在ZnS衬底上制备了不同工艺参数下的GaP薄膜,并通过FTIR分析了工艺参数对GaP薄膜红外透过率的影响规律.利用优化后的工艺参数成功地制备了厚为10.5 μm的GaP膜,根据膜系设计结果制备了DLC/GaP膜系.实验表明,GaP厚膜与基体结合性能较好,光学性能亦有所改善;DLC/GaP膜系的红外增透效果良好,在8～11.5 μm波段平均透过率净增5.69%,足以满足8～11.5 μm增透要求.
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| 关 键 词： | GaP薄膜 射频磁控溅射 红外增透保护膜系 ZnS衬底 |
| 文章编号： | 1001-8891(2002)04-0049-04 |
| 修稿时间： | 2001-10-08 |
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