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| 28nm到14nm工艺代沟,全耗尽硅技术如何弥补 | |
| 作者姓名： | 赵佶 |
| 摘 要： | 正今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28 nm巨大产量与20 nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出,整个半导体产业的发展方向正在转向全耗尽晶体管架构。然而,如果FinFET和其他全耗尽多栅架构只能从14 nm开始供货的话,在这之前我们又应当怎样应对呢?早在数年之前,Soitec及其合作伙伴就在开展紧 |
| 关 键 词： | 全耗尽 晶体管 硅技术 晶圆 工艺技术 系统级芯片 合作伙伴 低成本 技术进步 解决方案 |
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