| 量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响 |
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| 引用本文： | 陆敏,杨志坚,潘尧波,陆羽,陈志忠,张国义.量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响[J].稀有金属,2007,31(Z1). |
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| 作者姓名： | 陆敏 杨志坚 潘尧波 陆羽 陈志忠 张国义 |
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| 摘 要： | 采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片.对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发光特性优良的高质量多量子阱紫光LED外延片.
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| 关 键 词： | 紫光二极管 量子阱结构 |
Effect of MQW Structure on Characteristic of GaN-Base Violet LED |
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| Lu Min,Yang Zhijian,Pan Yaobo,Lu Yu,Chen Zhizhong,Zhang Guoyi.Effect of MQW Structure on Characteristic of GaN-Base Violet LED[J].Chinese Journal of Rare Metals,2007,31(Z1). |
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| Authors: | Lu Min Yang Zhijian Pan Yaobo Lu Yu Chen Zhizhong Zhang Guoyi |
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| Keywords: | MOCVD GaN |
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