| 高阻In掺杂CdZnTe晶体缺陷能级的研究 |
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| 作者姓名： | 李刚 桑文斌 闵嘉华 钱永彪 施朱斌 戴灵恩 赵岳 |
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| 作者单位： | 1. 上海大学材料科学与工程学院, 上海 200072; 2. 华瑞科学仪器(上海)有限公司传感器工程技术中心, 上海 201821 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,上海市重点学科建设项目 |
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| 摘 要： | 利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品, 采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制. PL测试结果表明, 在In掺杂样品中, In原子占据了晶体中原有的Cd空位, 形成了能级位于Ec-18meV的替代浅施主缺陷[InCd+], 同时 [InCd+]还与[VCd2-]形成了能级位于Ev+163meV的复合缺陷[(InCd+-VCd2-)-]. DLTS分析表明, 掺In样品中存在导带以下约0.74eV的深能级电子陷阱能级, 这个能级很可能是Te反位[TeCd]施主缺陷造成的. 由此, In掺杂CdZnTe晶体的电学性质是In掺杂施主缺陷、Te反位深能级施主缺陷与本征受主缺陷Cd空位和残余受主杂质缺陷补偿的综合结果.
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| 关 键 词： | 碲锌镉 低温PL 深能级瞬态谱 缺陷能级 |
| 收稿时间： | 2007-11-20 |
| 修稿时间： | 2008-02-18 |
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