| 硅基1.55μm共振腔增强型探测器 |
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| 引用本文： | 毛容伟,左玉华,李传波,成步文,滕学公,罗丽萍,张合顺,于金中,王启明. 硅基1.55μm共振腔增强型探测器[J]. 半导体学报, 2005, 26(2) |
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| 作者姓名： | 毛容伟 左玉华 李传波 成步文 滕学公 罗丽萍 张合顺 于金中 王启明 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家自然科学基金 , 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | ![]()
报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术.高反射率的SiO2/Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上,然后键合到InGaAs有源区上,键合温度为350℃,无需特殊表面处理,反射镜的反射率可以高达99.9%以上,制作工艺简单,价格便宜.并获得硅基峰值响应波长为1.54μm,量子效率达22.6%的窄带响应,峰值半高宽为27nm.本方法有望用于工业生产.
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| 关 键 词： | RCE探测器 高量子效率 直接键合 键合介质 InGaAs RCE photodetector high quantum efficiency direct bonding bonding medium InGaAs 硅基 共振腔增强型探测器 Fabrication Photodetectors potential industry processes full width at half maximum peak quantum efficiency narrow band response photodetector special treatment surfaces mirrors silicon substrates deposition |
Fabrication of 1.55μm Si-Based Resonant Cavity Enhanced Photodetectors |
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| Mao Rongwei,Zuo Yuhua,Li Chuanbo,Cheng Buwen,Teng Xuegong,Luo Liping,Zhang Heshun,Yu Jinzhong,Wang Qiming. Fabrication of 1.55μm Si-Based Resonant Cavity Enhanced Photodetectors[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(2) |
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| Authors: | Mao Rongwei Zuo Yuhua Li Chuanbo Cheng Buwen Teng Xuegong Luo Liping Zhang Heshun Yu Jinzhong Wang Qiming |
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| Abstract: | ![]()
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