| 定向硅纳米线阵列的场发射性质的研究及改进 |
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| 引用本文： | 刘明,盛雷梅,葛帅平,范守善. 定向硅纳米线阵列的场发射性质的研究及改进[J]. 真空科学与技术学报, 2005, 25(4): 312-314 |
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| 作者姓名： | 刘明 盛雷梅 葛帅平 范守善 |
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| 作者单位： | 清华-富士康纳米科技研究中心,物理系,清华大学,北京,100084 |
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| 摘 要： | 本文测量了垂直基底方向生长的硅纳米线阵列的场发射性质,并研究了引入金对其场发射性质的影响.引入金后,硅纳米线阵列在10 μA/cm2时的开启电场从4.7 V/μm降到了2.3 V/μm,并且根据Fowler-Nordheim曲线斜率的变化,估算出纳米线阵列的功函数从3.6 eV降到了2.2 eV.
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| 关 键 词： | 硅纳米线阵列 场发射 金硅合金 |
| 文章编号： | 1672-7126（2005）04-0312-03 |
| 收稿时间： | 2005-03-28 |
| 修稿时间： | 2005-03-28 |
Enhanced Field Emission Properties of Vertically-oriented Silicon Nanowire Arrays |
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| Liu Ming,Sheng Leimei,Ge Shuaiping,Fan Shoushan. Enhanced Field Emission Properties of Vertically-oriented Silicon Nanowire Arrays[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2005, 25(4): 312-314 |
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| Authors: | Liu Ming Sheng Leimei Ge Shuaiping Fan Shoushan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicon nanowire army Field emission Au-Si Alloy |
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