“碳化硅功率半导体技术”专题前言 |
| |
引用本文: | 邓小川.“碳化硅功率半导体技术”专题前言[J].电子与封装,2022(2). |
| |
作者姓名: | 邓小川 |
| |
作者单位: | 电子科技大学 |
| |
摘 要: | 半导体功率器件(即电力电子器件)是电力电子技术的三大核心基础之一,被比作电力电子装置的“CPU”。现有功率器件多采用Si基或SOI基,但是受限于自身材料特性的影响,在节能与转换效率方面越来越显示出他们的局限性。为解决上述问题,半导体功率器件除了继续对传统器件进行新理论和新结构的创新研究外,也正在遵循“一代材料、一代器件、一代装置、一代应用”的发展趋势,从传统的Si基和SOI基向宽禁带半导体SiC和GaN基进行扩展和延伸。
|
关 键 词: | 半导体功率器件 宽禁带半导体 电力电子器件 SOI 转换效率 电力电子技术 电力电子装置 功率半导体技术 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|