| 氮气退火对锑掺杂氧化锡薄膜近红外阻隔性能的影响 |
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| 引用本文： | 邵静,沈鸿烈,王学文,高凯,赖斌康.氮气退火对锑掺杂氧化锡薄膜近红外阻隔性能的影响[J].半导体光电,2021,42(2):240-245. |
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| 作者姓名： | 邵静 沈鸿烈 王学文 高凯 赖斌康 |
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| 作者单位： | 蚌埠学院数理学院材料物理系,安徽蚌埠233030;南京航空航天大学材料科学与技术学院材料科学系,南京210016;南京航空航天大学材料科学与技术学院材料科学系,南京210016 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61774084)；安徽省高校自然科学基金项目(KJ2019A0849)；蚌埠学院高层次人才科研启动经费立项项目(BBXY2018KYQD27).＊通信作者:沈鸿烈E-mail:hlshen@nuaa.edu.cn |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射的方法,用96at％SnO2/4at％Sb2O3陶瓷靶在玻璃表面制备了锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜.研究了溅射功率、压强和后退火对薄膜近红外阻隔性能的影响,并采用Uv-Vis-NIR透射光谱、霍尔效应测试仪、XRD和SEM等设备对薄膜的性能和结构进行了测试和分析.结果表明,室温沉积的ATO薄膜近红外透光率较高,但在氮气中退火后,不同溅射压强和溅射功率下沉积的ATO薄膜的近红外透光率均显著降低.在氧含量为10％、压强为1.4Pa、溅射功率为200W时,室温下沉积的ATO薄膜在氮气中500℃下退火1h后,550nm处透光率由80.9％升高至85.8％,2 000 nm处透光率由84.6％下降至23.0％.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 ATO 近红外阻隔 氮气退火 溅射功率 压强 |
| 收稿时间： | 2021/1/26 0:00:00 |
Influence of Post Annealing in Nitrogen on the Near Infrared Blocking Property of Antimony Doped Tin Oxide Films |
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| SHAO Jing,SHEN Honglie,WANG Xuewen,GAO Kai,LAI Binkang.Influence of Post Annealing in Nitrogen on the Near Infrared Blocking Property of Antimony Doped Tin Oxide Films[J].Semiconductor Optoelectronics,2021,42(2):240-245. |
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| Authors: | SHAO Jing SHEN Honglie WANG Xuewen GAO Kai LAI Binkang |
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| Affiliation: | Department of Material Physics, Faculty of Science, Bengbu University, Bengbu 233030, CHN;Department of Materials Science, College of Materials Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, Nanjing 210016, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetron sputtering ATO film NIR blocking annealing in nitrogen sputtering power pressure |
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