| 激光退火对CaSrSiO4∶Tb3+纳米荧光粉光致发光特性的改善 |
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| 引用本文： | 李成仁,王英贺,赵倩昀,王晓娜,徐奇.激光退火对CaSrSiO4∶Tb3+纳米荧光粉光致发光特性的改善[J].半导体光电,2021,42(2):236-239, 263. |
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| 作者姓名： | 李成仁 王英贺 赵倩昀 王晓娜 徐奇 |
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| 作者单位： | 辽宁师范大学物理与电子技术学院,辽宁大连116029;大连理工大学物理学院,辽宁大连116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(11004092)；辽宁省科技厅项目(201602455).＊通信作者:李成仁E-mail:lnnulicr@aliyun.com |
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| 摘 要： | 采用高温固相反应法制备了不同掺Tb浓度的CaSrSiO4纳米荧光粉.TEM照片显示粉末颗粒为球状,直径30～50 nm.XRD主要衍射峰与CaSrSiO4基质基本一致,表明Tb离子掺入对CaSrSiO4晶体结构影响较小.285 nm紫外光激发下,观测到强的紫外、蓝光和绿光等光谱,优化掺Tb浓度为0.7％.最后用CO2激光器对CaSrSiO4:0.3Tb3+荧光粉进行退火,发现光谱增强50％以上.同时讨论了退火工艺参数对荧光粉光致发光特性的影响.
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| 关 键 词： | CaSrSiO4:Tb3+纳米荧光粉 光致发光特性 激光退火 |
| 收稿时间： | 2020/12/18 0:00:00 |
Improvement of Laser Annealing on Photoluminescence Characteristics of CaSrSiO4:Tb3+Nanophosphor |
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| LI Chengren,WANG Yinghe,ZHAO Qianyun,WANG Xiaon,XU Qi.Improvement of Laser Annealing on Photoluminescence Characteristics of CaSrSiO4:Tb3+Nanophosphor[J].Semiconductor Optoelectronics,2021,42(2):236-239, 263. |
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| Authors: | LI Chengren WANG Yinghe ZHAO Qianyun WANG Xiaon XU Qi |
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| Affiliation: | School of Physics and Electronic Technology, Liaoning Normal University, Dalian 116029, CHN;School of Physics, Dalian University of Technology, Dalian 116024, CHN |
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