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| 智能高压大功率VDMOSFET | |
| 作者姓名： | 茅盘松 |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心 |
| 摘 要： | 本文介绍一种高可靠的具有自动过流保护的智能高压大功率ＶＤＭＯＳＦＥＴ，已研制出了漏源击穿电压大于２００Ｖ，正常工作电源大于２Ａ；自动保护保护过电流小于４Ａ的器件。工艺完全与浣ＶＤＭＯＳＦＥＴ一致；这种新颖ＶＤＭＯＳＦＥＴ结构的应用能提高整机可靠性。 |
| 关 键 词： | 半导体器件 高压 大功率 VDMOSFET 电力电子器件 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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