| 膜厚对多晶硅纳米薄膜压阻温度特性的影响 |
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| 作者姓名： | 刘晓为潘慧艳揣荣岩 王喜莲李金锋 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001;沈阳工业大学信息科学与工程学院,沈阳,110023 |
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| 摘 要： | 重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻温度特性,用它制作高温压阻式传感器灵敏度高、成本低,具有广阔的应用前景.为优化多晶硅纳米薄膜的压阻温度特性,本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术制作了不同膜厚(30～250 nm)的多晶硅薄膜,分别测试了应变系数、薄膜电阻率与工作温度的关系.利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射实验(XRD)对薄膜进行了表征,在此基础上结合隧道压阻模型分析了膜厚对多晶硅薄膜压阻温度特性的影响,结果表明,对于淀积温度620℃、掺杂浓度2.3×1020 cm-3的多晶硅纳米薄膜,膜厚的最佳值在80 nm厚左右.
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| 关 键 词： | 多晶硅纳米膜 压阻温度特性 应变系数 电阻率温度系数(TCR) 应变系数的温度系数(TCGF) |
| 文章编号： | 1004-1699(2007)11-2421-05 |
| 修稿时间： | 2007-04-14 |
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