| SOI高压MOSFET的电流-电压特性模拟 |
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| 引用本文： | 郑陶雷,罗晋生. SOI高压MOSFET的电流-电压特性模拟[J]. 固体电子学研究与进展, 2001, 21(3): 320-325 |
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| 作者姓名： | 郑陶雷 罗晋生 |
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| 作者单位： | 西安交通大学微电子所;西安交通大学微电子所 |
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| 摘 要： | 在不同漂移区浓度分布下 ,通过二维数值模拟充分地研究了薄膜 SOI高压 MOSFET击穿电压的浓度相关性 ,指出了击穿优化对 MOSFET漂移区杂质浓度分布的要求。分析了MOSFET的电场电位分布随漏源电压的变化 ,提出寄生晶体管击穿有使 SOI MOSFET击穿降低的作用。
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| 关 键 词： | 绝缘体基硅 金属氧化物半导体器件 高压 晶体管 伏安特性 浓度分布 数值模拟 |
| 文章编号： | 1000-3819(2001)03-320-06 |
| 修稿时间： | 1999-08-10 |
Simulation of I-V Characteristics of High-voltage MOSFETs in SOI |
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| ZHENG Taolei LUO Jinsheng. Simulation of I-V Characteristics of High-voltage MOSFETs in SOI[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2001, 21(3): 320-325 |
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| Authors: | ZHENG Taolei LUO Jinsheng |
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| Abstract: | By using 2-D simu lation the concentration dependence of t he breakdown voltage of the SOI high-vol tage MOSFET is investigated within a wid e range of impurity profiles in the drif t region. The breakdown voltage of the 0 .2μm-SOI MOSFET is 60V for the optimized profile of phosphorus in the drift regi on. A number of the electric field distr ibution curves reveal that the breakdown characteristics are influenced by the b reakdown of the parasitic transistor, wh ich is an important point to the design of SOI MOSFETs breakdown characteristic s. |
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| Keywords: | silicon on insulator(SO I) MOS device high-voltage transist or I-V characteristic doping profile numerical simulation |
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