| 溅射时间对Mo薄膜结晶取向的影响 |
| |
| 引用本文： | 张艳霞,冀亚欣,欧玉峰,闫勇,李莎莎,刘连,张勇,赵勇,余洲.溅射时间对Mo薄膜结晶取向的影响[J].功能材料,2013,44(6):888-892. |
| |
| 作者姓名： | 张艳霞 冀亚欣 欧玉峰 闫勇 李莎莎 刘连 张勇 赵勇 余洲 |
| |
| 作者单位： | 1. 西南交通大学磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室,四川成都,610031
2. 西南交通大学磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室,四川成都610031;新南威尔士大学材料科学与工程学院,澳大利亚悉尼2052 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50588201,50872116,51271155);国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项资助项目(2011GB112001);四川省基金资助项目(2011JY0031,2011JY0130);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(SWJTU12CX016,SWJTU11ZT16,SWJTU11ZT31) |
| |
| 摘 要： | 采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,并用XRD、SEM、四探针等对薄膜进行表征,研究了沉积时间对薄膜晶体结构、表面形貌以及电学性能的影响。研究发现,沉积时间能够调节Mo薄膜的择优取向。溅射时间较短(5～10min)时,沉积的Mo薄膜呈(110)择优取向。溅射时间超过15min后,薄膜呈现(211)取向,且(211)晶面择优程度随沉积时间的增加而提高。随着择优取向的改变,薄膜的表面形貌由三角形颗粒变为长条形颗粒,电阻率也发生相应变化,由3.92×10-5Ω·cm增加到4.27×10-5Ω·cm再降低,对应薄膜生长的晶带模型由晶带T型组织变为晶带2组织。
|
| 关 键 词： | 直流磁控溅射 择优取向 晶带模型 电性能 |
The influence of the preferred orientation of Mo thin films on the sputtering time |
| |
| ZHANG Yan-xia,JI Ya-xin,OU Yu-feng,YAN Yong,LI Sha-sha,LIU Lian,ZHANG Yong,ZHAO Yong,YU zhou.The influence of the preferred orientation of Mo thin films on the sputtering time[J].Journal of Functional Materials,2013,44(6):888-892. |
| |
| Authors: | ZHANG Yan-xia JI Ya-xin OU Yu-feng YAN Yong LI Sha-sha LIU Lian ZHANG Yong ZHAO Yong YU zhou |
| |
| Affiliation: | 1(1.Key Laboratory of Suspension Technology and Maglev Vehicle,Ministry of Education, Southwest Jiaotong University,Chengdu 610031,China; 2.School of Materials Science and Engineering,University of New South Wales,Sydney 2052,Australia) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
