| PECVD沉积微晶硅薄膜过程中氢原子对透明导电膜的影响 |
| |
| 引用本文： | 陈永生,汪建华,卢景霄,杨根,郜小勇,杨仕娥.PECVD沉积微晶硅薄膜过程中氢原子对透明导电膜的影响[J].半导体学报,2007,28(7):1005-1008. |
| |
| 作者姓名： | 陈永生 汪建华 卢景霄 杨根 郜小勇 杨仕娥 |
| |
| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院 材料物理重点实验室，郑州 450052;中国科学院等离子体物理研究所，合肥 230031;武汉化工学院材料科学与工程学院，武汉 430073;郑州大学物理工程学院 材料物理重点实验室，郑州 450052;郑州大学物理工程学院 材料物理重点实验室，郑州 450052;郑州大学物理工程学院 材料物理重点实验室，郑州 450052;郑州大学物理工程学院 材料物理重点实验室，郑州 450052 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| |
| 摘 要： | 研究了等离子体放电过程中氢原子对单层SnO2和SnO2/ZnO双层透明导电膜的影响.发现当衬底温度超过150℃,H等离子体处理使SnO2薄膜的透光率显著降低.当在SnO2薄膜表面沉积一层ZnO时,既使ZnO膜的厚度为50nm,也可有效地抑制H原子对SnO2的还原效应,并在SnO2/ZnO双层膜上制备了转换效率为3.8%的微晶硅薄膜太阳电池.
|
| 关 键 词： | 透明导电氧化物 氢化微晶硅 H等离子体退化 TCO hydrogenated microcrystalline silicon hydrogen plasma degradation PECVD 沉积 微晶硅 膜过程 氢原子 透明导电膜 影响 Preparation During Oxide Transparent Atomic Hydrogen glass performance microcrystalline silicon solar cells deposition effective suppression during |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）07-1005-04 |
| 收稿时间： | 1/26/2007 5:54:13 PM |
| 修稿时间： | 3/6/2007 9:07:25 AM |
Influence of Atomic Hydrogen on Transparent Conducting Oxide During Hydrogenated Microcrystalline Si Preparation by PECVD |
| |
| Chen Yongsheng,Wang Jianhu,Lu Jingxiao,Yang Gen,Gao Xiaoyong and Yang Shi''e.Influence of Atomic Hydrogen on Transparent Conducting Oxide During Hydrogenated Microcrystalline Si Preparation by PECVD[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(7):1005-1008. |
| |
| Authors: | Chen Yongsheng Wang Jianhu Lu Jingxiao Yang Gen Gao Xiaoyong and Yang Shi'e |
| |
| Affiliation: | Key Laboratory of Material Physics,Department of Physics,Zhengzhou University,Zhengzhou 450052,China;Institute of Plasma Physics,Chinese Academy of Sciences,Hefei 230031,China;School of Material Science and Engineering,Wuhan Institute of Chemical Technology,Wuhan 430073,China;Key Laboratory of Material Physics,Department of Physics,Zhengzhou University,Zhengzhou 450052,China;Key Laboratory of Material Physics,Department of Physics,Zhengzhou University,Zhengzhou 450052,China;Key Laboratory of Material Physics,Department of Physics,Zhengzhou University,Zhengzhou 450052,China;Key Laboratory of Material Physics,Department of Physics,Zhengzhou University,Zhengzhou 450052,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | TCO hydrogenated microcrystalline silicon hydrogen plasma degradation |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
