| 新型红光LED中ITO的特性研究 |
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| 引用本文： | 张勇辉,郭伟玲,高伟,李春伟,丁天平.新型红光LED中ITO的特性研究[J].半导体学报,2010,31(4):043002-5. |
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| 作者姓名： | 张勇辉 郭伟玲 高伟 李春伟 丁天平 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划 |
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| 摘 要： | 用真空电子束蒸镀的方法制备半导体发光二极管LED 所用的ITO(indium tin oxide)膜。利用TLM(transmission line model)研究ITO与GaP接触特性。在氮气环境，435℃条件下，快速热退火40s能获得最小的接触电阻4.3×10-3Ωcm2。Hall测试和俄偈电子能谱表明，影响接触电阻的主要原因是ITO载流子浓度的改变和In,Ga,O的扩散。另外，制作了以300nm ITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED并研究其可靠性。发现ITO的退化导致了LED的电压持续升高。而ITO与GaP热膨胀系数的不同导致了LED的最终失效。
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| 关 键 词： | ITO透明导电薄膜 红色发光二极管 性质 电子束蒸发 铟锡氧化物 传输线模型 透明电极 薄膜制备 |
Properties of the ITO layer in a novel red light-emitting diode |
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| Zhang Yonghui,Guo Weiling,Gao Wei,Li Chunwei and Ding Tianping.Properties of the ITO layer in a novel red light-emitting diode[J].Chinese Journal of Semiconductors,2010,31(4):043002-5. |
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| Authors: | Zhang Yonghui Guo Weiling Gao Wei Li Chunwei and Ding Tianping |
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| Affiliation: | Beijing Optoelectronics Technology Laboratory, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China;Beijing Optoelectronics Technology Laboratory, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China;Beijing Optoelectronics Technology Laboratory, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China;Beijing Optoelectronics Technology Laboratory, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China;Beijing Optoelectronics Technology Laboratory, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | indium tin oxide GaP contact resistance reliability |
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