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| 用CMOSⅢ工艺制作小于100ns的256kDRAM | |
| 引用本文： | Roger I Kung ,李忠义.用CMOSⅢ工艺制作小于100ns的256kDRAM[J].微电子学,1985(Z1). |
| 作者姓名： | Roger I Kung 李忠义 |
| 摘 要： | 动态随机存取存贮器最近不仅在密度上,而且也在性能上得到改善。CMOS工艺上的最新进展使CMOS静态和动态随机存取存贮器能提供低功耗,而密度和性能已达到 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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