| SiC单晶的性质、生长及应用 |
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| 引用本文： | 王世忠,徐良瑛,束碧云,肖兵,庄击勇,施尔畏.SiC单晶的性质、生长及应用[J].无机材料学报,1999(4). |
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| 作者姓名： | 王世忠 徐良瑛 束碧云 肖兵 庄击勇 施尔畏 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所!上海200050 |
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| 基金项目： | 中国博士后科学基金，“863” 高技术计划 |
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| 摘 要： | 本文综述了 Ｓｉ Ｃ 单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸 Ｓｉ Ｃ 单晶的 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备和该过程中的关键要素， 分析了 Ｐ Ｖ Ｔ 法制备的 Ｓｉ Ｃ单晶中所存在的缺陷及其成因
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| 关 键 词： | 碳化硅 单晶 生长 物理性质 半导体器件 |
Physical Properties, Bulk Growth, and Applications of SiC Single Crystal |
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| WANG Shi Zhong,XU Liang Ying,SHU Bi Yun,XIAO Bing ZHUANG Ji Yong,SHI Er Wei.Physical Properties, Bulk Growth, and Applications of SiC Single Crystal[J].Journal of Inorganic Materials,1999(4). |
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| Authors: | WANG Shi Zhong XU Liang Ying SHU Bi Yun XIAO Bing ZHUANG Ji Yong SHI Er Wei |
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| Abstract: | This article reviewed on the physical properties, the crystal structure, the growth methods, and the applications of the SiC single crystal The preparation of the SiC single crystal by sublimation method was introduced in detail The defects of SiC single crystal caused in the PVT process were discussed |
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| Keywords: | silicon carbide crystal growth physical property semiconductor device |
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