|
|||||
|
|
| AIGaN紫外光电导探测器的研究 | |
| 引用本文： | 王峰祥,郝跃. AIGaN紫外光电导探测器的研究[J]. 现代电子技术, 2004, 27(6): 1-2 |
| 作者姓名： | 王峰祥 郝跃 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071 |
| 基金项目： | 国防预研基金(41308060106) |
| 摘 要： | 在蓝宝石(0001)衬底上采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了未掺杂的Al0.15Ga0.85N外延层,并以此为材料制作了光电导探测器,实验发现探测器具有显著的紫外光响应.分析了探测器持续光电导效应(PPC)的产生机理. |
| 关 键 词： | AlGaN 光电导探测器 紫外光 PPC |
| 文章编号： | 1004-373X(2004)06-001-02 |
| 修稿时间： | 2003-11-19 |
Study of AIGaN Ultraviolet Photoconductive Detector |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |