| 大剂量Mn离子注入GaAs的性质 |
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| 引用本文： | 宋书林,陈诺夫,柴春林,尹志岗,杨少延,刘志凯.大剂量Mn离子注入GaAs的性质[J].半导体学报,2005,26(13):24-27. |
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| 作者姓名： | 宋书林 陈诺夫 柴春林 尹志岗 杨少延 刘志凯 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院力学研究所 国家微重力实验室，北京 100080;中国科学院半导体所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体所 半导体材料科学重点实验室，北京 100083 |
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| 摘 要： | 在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入，并进行了不同条件的退火. 借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析，经过退火后生成的新相衍射峰增多，根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格. 运用原子力显微镜分析了样品的表面，发现退火后突起的起伏度增加. 磁性分析表明，退火样品的磁化强度增大.
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| 关 键 词： | 低能注入 砷化镓 X射线衍射 梯度磁强计 |
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