| SiC抗辐照特性的分析 |
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| 引用本文： | 尚也淳,张义门,张玉明.SiC抗辐照特性的分析[J].西安电子科技大学学报,1999,26(6):807-811. |
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| 作者姓名： | 尚也淳 张义门 张玉明 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所!陕西西安710071 |
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| 摘 要： | 用半导体抗辐照的机理说明了ＳｉＣ材料具有良好的抗辐照特性，实验数据的对比表明，ＳｉＣ在器件发光二极管（ＬＥＤ），结型场效应晶体管（ＪＦＥＴ）和金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）上对辐照影响不敏感。从原理上预测了ＳｉＣ集成电路的单粒子反转（ＳＥＵ）截面，结果说明ＳｉＣ集成电路具有好的抗ＳＥＵ能力。
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| 关 键 词： | 碳化硅 辐照 半导体材料 |
| 文章编号： | 1001-2400(1999)06-0807-04 |
| 修稿时间： | 1999-01-11 |
Analysis of the SiC irradiation resistance |
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| SHANG Ye-chun,ZHANG Yi-men,ZHANG Yu-ming.Analysis of the SiC irradiation resistance[J].Journal of Xidian University,1999,26(6):807-811. |
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| Authors: | SHANG Ye-chun ZHANG Yi-men ZHANG Yu-ming |
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| Abstract: | SiC has high irradiation resistance. Its performance will not be changed remarkably by ionization and atomic displacement. The results of some experiments show that SiC devices such as LED, JFET and MOSFET are not sensitive to irradiation. The predication of the SEU cross section of the SiC integrated circuit indicates that the SiC IC is resistant to the SEU effect. |
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| Keywords: | SiC irradiation device material |
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