| SiC/nc-Si多层薄膜的光致可见发光谱的紧束缚理论 |
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| 引用本文： | 梁志均,王志斌,王莉,赵福利,阳生红,何振辉,陈弟虎.SiC/nc-Si多层薄膜的光致可见发光谱的紧束缚理论[J].半导体学报,2006,27(z1):72-75. |
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| 作者姓名： | 梁志均 王志斌 王莉 赵福利 阳生红 何振辉 陈弟虎 |
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| 作者单位： | 中山大学物理系,光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275 |
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| 摘 要： | 用Vogl提出的sp3s*紧束缚模型来研究碳化硅/纳米硅(SiC/nc-Si)多层薄膜的能带结构与其光致发光谱的关系,并设计出SiC/nc-Si多层薄膜最佳结构为{Si}1{SiC}8,即碳化硅层的厚度是纳米硅层厚度的8倍时的超晶格结构蓝光发射的效率最高.在等离子体增强化学气相沉积系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积含氢非晶SiCx:H(a-SiCx:H)和非晶Si:H(a-Si:H)薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备出了晶化纳米SiC/nc-Si(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜.利用截面透射电子显微镜技术分析了a-SiCx:H/nc-Si:H多层薄膜的结构特性,表明制得的超晶格结构稍微偏离设计,它的结构为{Si}1{SiC}5.最后对晶化样品的光致发光谱进行研究,详细分析了各个光致发光峰的物理本质.
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| 关 键 词： | 超晶格 紧束缚理论 SiC/nc-Si多层膜 光致发光 多层薄膜 发光谱 紧束缚理论 Photoluminescence Binding Tight 物理本质 发光峰 技术分析 样品 结构特性 电子显微镜 透射 截面 利用 纳米 晶化 退火处理 高温热 非晶 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0072-04 |
| 修稿时间： | 2005年10月11日 |
Tight Binding of Photoluminescence in the SiC/nc-Si Multi-Layer Film |
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| Liang Zhijun,Wang Zhibin,Wang Li,Zhao Fuli,Yang Shenghong,He Zhenhui,Chen Dihu.Tight Binding of Photoluminescence in the SiC/nc-Si Multi-Layer Film[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):72-75. |
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| Authors: | Liang Zhijun Wang Zhibin Wang Li Zhao Fuli Yang Shenghong He Zhenhui Chen Dihu |
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